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                科研动态

                e尊国际在8寸平台上成功制〖造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆

                稿件来源: 发布时间:2018-08-30

                  近日,中国科学∩院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成△功制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆。该项♂技术突破,实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微◢调,使Ge的带①隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实■现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移ξ率。这一成果为微电子学和光子学ζ的单片集成提♀供了新的路径和解决方案。

                 

                 TSGOI晶圆的俯视图及其横截面而在他們身下

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